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LED外延结构和LED器件

基本信息

申请号 CN202022982301.2 申请日 -
公开（公告）号 CN214099643U 公开（公告）日 2021-08-31
申请公布号 CN214099643U 申请公布日 2021-08-31
分类号 H01L33/14（2010.01）I;H01L33/06（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 不公告发明人 申请（专利权）人 聚灿光电科技（宿迁）有限公司
代理机构 苏州威世朋知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 沈晓敏
地址 223800江苏省宿迁市经济技术开发区东吴路南侧
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型提供一种LED外延结构和LED器件，LED外延结构，其从下向上依次包括衬底、非掺杂半导体层、N型半导体层、多量子阱区、和P型半导体层，LED外延结构还包括设于多量子阱区下方的至少一组电子富集层组，于每组电子富集层组内，堆叠设有In掺杂浓度从下至上依次递增的多层掺In电子富集层；多量子阱区内包括多个交替堆叠设置的势阱层组和势垒层，于每组势阱层组内，堆叠设有In掺杂浓度从下至上依次递减的多层掺In势阱层。减小了因In偏析导致外延层中应力失配而引入位错、层错、V型缺陷和孔隙等结构缺陷的可能，从而增强晶格质量；并且，增加了量子阱两端的势能差，增加电子与空穴的复合效率，进一步提高了发光效率。