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一种LED外延结构、LED芯片及LED外延结构制备方法

基本信息

申请号 CN202110585972.1 申请日 -
公开（公告）号 CN113314647A 公开（公告）日 2021-08-27
申请公布号 CN113314647A 申请公布日 2021-08-27
分类号 H01L33/06（2010.01）I;H01L33/12（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 徐洋洋;江汉;徐志军;黎国昌;程虎;王文君;苑树伟 申请（专利权）人 聚灿光电科技（宿迁）有限公司
代理机构 苏州威世朋知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 沈晓敏
地址 223800江苏省宿迁市经济技术开发区东吴路南侧
法律状态 -

摘要

摘要 本发明揭示了一种LED外延结构、LED芯片及LED外延结构制备方法。所述LED外延结构从下向上依次包括衬底、第一缓冲层、第一UGaN层、剥离保护层、第二缓冲层、第二UGaN层、N型GaN层、多量子阱发光层、P型GaN层。本发明增加剥离保护层的设计，现有的剥离技术不会对上层外延结构造成破坏，可改善因剥离技术不成熟导致上层外延结构损伤导致漏电率增加，不会影响垂直芯片的电性能，从而增强垂直结构激光剥离成功率和良率。