一种用于Mocvd反应装置的钼罩
基本信息
| 申请号 | CN202010061940.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113136563A | 公开（公告）日 | 2021-07-20 |
| 申请公布号 | CN113136563A | 申请公布日 | 2021-07-20 |
| 分类号 | C23C16/44 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 蒲健;姚志伟;陈军;李本功;徐堂阳;饶晓松;谢陶 | 申请（专利权）人 | 聚灿光电科技（宿迁）有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 223800 江苏省宿迁市宿迁经济技术开发区东吴路南侧 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种用于Mocvd反应装置的钼罩，包括钼罩本体，钼罩本体安装在Mocvd反应装置的内腔，且钼罩本体的安装高度不低于Mocvd反应装置中加热器水平面，钼罩本体的高度为140‑160mm，钼罩本体的直径为708‑713mm，钼罩本体的底部设置有钼罩拖板，且钼罩本体与钼罩拖板一体成型，钼罩本体的侧壁安装有固定支撑片。本发明取缔了原厂设计的Extender（缓冲环）的结构，避免了缓冲环与工艺腔室保护罩间隙积聚颗粒的问题，提升Mocvd反应装置生产Run数及外延片工艺均匀性，同时解决了固定支撑片与钼罩的固定点位少，高温易脱落，并且钼罩会出现不定向变形的问题。 |
