AlN基紫外发光二极管的外延片及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202111009443.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113707776A | 公开（公告）日 | 2021-11-26 |
| 申请公布号 | CN113707776A | 申请公布日 | 2021-11-26 |
| 分类号 | H01L33/12（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I;H01L21/02（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陶章峰;王新;薛聪;王庶民;董建荣 | 申请（专利权）人 | 埃特曼（苏州）半导体技术有限公司 |
| 代理机构 | 南京利丰知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 赵世发;王锋 |
| 地址 | 215000江苏省苏州市工业园区若水路388号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种AlN基紫外发光二极管的外延片及其制作方法。所述外延片包括衬底和依次形成在衬底上的Al1‑xGaxN成核层、三维岛状AlN生长层、二维恢复AlN生长层、n型AlGaN层、多量子阱发光层和p型层，其中0≤x≤0.1。本发明提供的紫外发光二极管的外延片，内部应力小，位错密度低。 |
