一种高性能电磁辐射抑制结构
基本信息
| 申请号 | CN202110590255.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113286418A | 公开（公告）日 | 2021-08-20 |
| 申请公布号 | CN113286418A | 申请公布日 | 2021-08-20 |
| 分类号 | H05K1/02;H01Q15/00;H01Q17/00 | 分类 | 其他类目不包含的电技术; |
| 发明人 | 李尔平;雷晓勇;李燕;孙喆 | 申请（专利权）人 | 海宁利伊电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人 | 林超 |
| 地址 | 314400 浙江省嘉兴市海宁市海宁经济开发区双富路28号D座5楼509室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种高性能电磁辐射抑制结构。在散热盖与PCB板之间加入周期排列的超材料吸波体，同时加入石墨烯阻性表面，提高屏蔽效果，实现所需频段的电磁辐射抑制，超材料吸波体由顶层谐振单元、有耗介质层和全金属背板构成，超材料吸波体布置在散热盖下方，与PCB板之间保持一定的距离，中间空出导热胶的位置，将石墨烯结构加载到导热胶上方有效的抑制芯片封装直接向上的辐射泄漏。本发明适用于封装器件的电磁辐射抑制，超材料结构的引入实现了屏蔽结构的小型化与极化不敏感等特性，在工作频段内具有良好的辐射吸收能力。在芯片、PCB板等封装设计中具有巨大应用价值。 |
