首页/ 海宁利伊电子科技有限公司/ 专利详情

一种高性能封装辐射吸收结构

基本信息

申请号 CN202110797645.2 申请日 -
公开（公告）号 CN113451784A 公开（公告）日 2021-09-28
申请公布号 CN113451784A 申请公布日 2021-09-28
分类号 H01Q17/00（2006.01）I;H01Q15/00（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 李尔平;樊宇迪;李天武 申请（专利权）人 海宁利伊电子科技有限公司
代理机构 杭州求是专利事务所有限公司 代理人 林超
地址 314400浙江省嘉兴市海宁市海宁经济开发区双富路28号D座5楼509室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种高性能封装辐射吸收结构。包含多个紧密排列的周期单元结构，每个周期单元结构主要由一个谐振单元、一层有耗介质层和一层金属背板依次层叠构成，谐振层与金属背板分别位于有耗介质层的两侧；所述周期单元结构包括顶层谐振单元、有耗介质层和底层金属背板；谐振单元主要由一层介质层和两层金属层以及连接两层金属层之间的金属过孔组成，其中两层金属层分别贴于介质层两表面；金属过孔穿过介质层将两层金属层电连接。本发明适用于抑制封装器件在特定频点辐射的吸收，具有极佳的角度稳定性，在设计频点具有良好的辐射吸收能力，从而增加反射损耗，提升封装器件EMI收益。