基于频率选择表面理论的电阻型高频辐射吸收体结构及其辐射抑制装置
基本信息
| 申请号 | CN202110868245.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113612033A | 公开（公告）日 | 2021-11-05 |
| 申请公布号 | CN113612033A | 申请公布日 | 2021-11-05 |
| 分类号 | H01Q17/00（2006.01）I;H01Q15/00（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李尔平;邢家琦;梁星磊 | 申请（专利权）人 | 海宁利伊电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 嘉兴海创专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 郑文涛 |
| 地址 | 314400浙江省嘉兴市海宁市海宁经济开发区双富路28号D座5楼509室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明旨在于提供一种基于频率选择表面理论的电阻型高频辐射吸收体结构及其辐射抑制装置，此种吸收体结构可以有效的抑制封装中吸收体工作频段的电磁辐射，从而有效的解决芯片封装中的电磁辐射超标的问题。包括呈周期性排布的吸收体单元，每个吸收体单元从下到上依次为底层金属层、中间介质层和上层图案层，上层图案层由金属图案和贴片电阻组成，金属图案与贴片电阻构成完整的闭合通路。 |
