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一种抗辐射泄露的共形屏蔽SIP封装结构

基本信息

申请号 CN202011362624.X 申请日 -
公开（公告）号 CN112490219A 公开（公告）日 2021-03-12
申请公布号 CN112490219A 申请公布日 2021-03-12
分类号 H01L23/60(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 李尔平;胡光来;刘卫锋 申请（专利权）人 海宁利伊电子科技有限公司
代理机构 杭州求是专利事务所有限公司 代理人 林超
地址 314400浙江省嘉兴市海宁市海宁经济开发区双富路28号D座5楼509室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种抗辐射泄露的共形屏蔽SIP封装结构。本发明包括镀膜、塑封、球栅阵列和电路基板；在封装基板的一侧表面覆盖上塑封，在封装基板的另一侧表面覆盖球栅阵列和下塑封，在上塑封、封装基板、球栅阵列和下塑封的周围表面和上塑封的外表面均包覆有镀膜，球栅阵列外侧穿过下塑封和电路基板电连接，镀膜和电路基板之间具有间隙。相比于传统的金属盖技术，本发明的屏蔽结构紧贴封装器件，没有额外的增加封装器件的尺寸。相比于传统的、无表面走线的共形屏蔽方案，本发明能够在保证电路基板中表面走线存在的情况下，拥有良好的抗辐射泄露能力。