可调节双折射率差的1310nm波长的Y切Z传铌酸锂波导的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201410377147.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104142534B | 公开（公告）日 | 2017-06-13 |
| 申请公布号 | CN104142534B | 申请公布日 | 2017-06-13 |
| 分类号 | G02B6/13(2006.01)I;G02F1/03(2006.01)I | 分类 | 光学; |
| 发明人 | 李俊慧;杨成惠;郑远生;杨德伟;郝琰 | 申请（专利权）人 | 北京世维通科技发展有限公司 |
| 代理机构 | 北京邦信阳专利商标代理有限公司 | 代理人 | 北京世维通科技发展有限公司 |
| 地址 | 100088 北京市海淀区西土城路10号北邮校产集团办公小楼2层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种可调节双折射率差的1310nm波长的Y切Z传铌酸锂波导的制备方法，所述双折射率差值的范围在1.5×10‑5～4.8×10‑3，所述制备方法包括：在清洗干净的Y切铌酸锂晶片上蒸发一层钛膜，所述钛膜的厚度为65nm～105nm；对所述钛膜进行腐蚀，在所述Y切铌酸锂晶片表面形成沿所述Y切铌酸锂晶片Z方向延伸的钛条，得到包括所述Y切铌酸锂晶片以及所述钛条的芯片，所述钛条的宽度为6μm～8.5μm；将清洗干净的所述芯片置于通入湿氧且设定扩散温度的环境下，静止扩散时间后取出所述芯片即为所述Y切Z传铌酸锂波导，所述扩散时间为6小时～12小时。本发明通过选择钛膜的厚度、钛条的宽度或者扩散时间，从而能够很好地调节Y切Z传铌酸锂波导的双折射率差。 |
