改善负极表面补锂的方法、补锂的负极和锂离子二次电池
基本信息
申请号 | CN202111341593.4 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN114171712A | 公开(公告)日 | 2022-03-11 |
申请公布号 | CN114171712A | 申请公布日 | 2022-03-11 |
分类号 | H01M4/04(2006.01)I;H01M4/13(2010.01)I;H01M4/139(2010.01)I;H01M10/0525(2010.01)I;H01M10/42(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 郇庆娜;孙兆勇;孔德钰;陈强;牟瀚波 | 申请(专利权)人 | 天津中能锂业有限公司 |
代理机构 | 北京市创世宏景专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 崔永华 |
地址 | 300457天津市滨海新区天津经济技术开发区西区新业九街100号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 公开了一种改善负极表面补锂的方法、补锂的负极和锂离子二次电池。本发明的方法包括:将成卷超薄金属锂/锂合金膜放卷,对放卷的超薄金属锂/锂合金膜的表面进行高能辐射处理,通过辊压方式将处理后超薄金属锂/锂合金膜和负极复合到一起,得到补锂负极。此工艺简单,易操作,可以批量化生产应用。 |
