双面覆超薄锂层复合带及其制备方法
基本信息
申请号 | CN202010758267.2 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN114068871A | 公开(公告)日 | 2022-02-18 |
申请公布号 | CN114068871A | 申请公布日 | 2022-02-18 |
分类号 | H01M4/134(2010.01)I;H01M4/38(2006.01)I;H01M4/1395(2010.01)I;H01M4/04(2006.01)I;H01M10/052(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 齐大志;程滋平;刘慧芳;陈强;牟瀚波;吴春敢 | 申请(专利权)人 | 天津中能锂业有限公司 |
代理机构 | 北京市创世宏景专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 崔永华 |
地址 | 300457天津市滨海新区天津经济技术开发区西区新业九街100号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明提供了一种双面覆超薄锂层复合带及其制备方法。双面覆超薄锂层复合带具有:基材,所述基材为单层或多层的带材或薄膜类材料;和附着在基材两面的超薄锂层,其中一面的超薄锂层为通过物理气相沉积(PVD)的方法沉积而成,另一面的超薄锂层为通过压力复合而成,超薄锂层的厚度各自在1‑20μm范围内。其制备方法为:对基材进行烘干处理;采用物理气相沉积(PVD)的方法对基材的一个表面沉积超薄金属锂层;待基材冷却后,使用压力复合方法对基材的另一个表面复合超薄金属锂层。本发明提供的方法解决了双面覆超薄锂层复合带的生产问题,使得生产20μm以下超薄锂层的双面覆锂复合带成为可能。 |
