改善负极表面覆锂的方法、补锂负极和锂离子二次电池
基本信息
| 申请号 | CN202111341622.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114171798A | 公开（公告）日 | 2022-03-11 |
| 申请公布号 | CN114171798A | 申请公布日 | 2022-03-11 |
| 分类号 | H01M10/058（2010.01）I;H01M4/13（2010.01）I;H01M4/139（2010.01）I;H01M10/0525（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 郇庆娜;孙兆勇;孔德钰;陈强;牟瀚波 | 申请（专利权）人 | 天津中能锂业有限公司 |
| 代理机构 | 北京市创世宏景专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 崔永华 |
| 地址 | 300457天津市滨海新区天津经济技术开发区西区新业九街100号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 公开了一种改善负极表面覆锂的方法、补锂负极和锂离子二次电池。改善负极表面覆锂的方法包括：在负极的负极活性材料层的表面形成粗化层，所述粗化层具有均匀分布的纳米级别的粗糙度，将厚度为1‑50um的超薄金属锂或锂合金膜压力复合到粗化层上，得到补锂负极。此工艺简单，易操作，可以批量化生产应用。 |
