一种石墨表面梯度碳化硅涂层及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011480093.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112624797A | 公开（公告）日 | 2021-04-09 |
| 申请公布号 | CN112624797A | 申请公布日 | 2021-04-09 |
| 分类号 | C04B41/50;C04B41/87;C04B35/565;C04B35/622;C23C16/02;C23C16/32 | 分类 | 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕; |
| 发明人 | 刘佳宝;陈照峰;汪洋;余盛杰;潘影;柴攀;万强 | 申请（专利权）人 | 湖南德智新材料有限公司 |
| 代理机构 | 长沙朕扬知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 马家骏 |
| 地址 | 412000 湖南省株洲市天元区中国动力谷自主创新园（研发中心C栋2楼202号） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种石墨表面梯度碳化硅涂层及其制备方法，方法包括以下步骤：S1：将纳米硅粉加入液态聚碳硅烷中，超声震荡混合均匀，得到含有硅粉的液态聚碳硅烷；将石墨试样加压浸渍于含有硅粉的液态聚碳硅烷中，取出后固化、裂解，从而在石墨表面形成初级碳化硅涂层。S2：采用化学气相沉积法在步骤S1的初级碳化硅涂层表面沉积次级碳化硅涂层，从而初级碳化硅涂层和次级碳化硅涂层形成石墨表面的梯度碳化硅涂层。本发明通过在聚碳硅烷中加入硅粉，硅粉随着聚碳硅烷固化分布在石墨表面，在1650℃‑1800℃与表面石墨反应生成碳化硅，既增强了涂层与石墨基体的结合强度，又避免影响后续CVDSiC的生长。 |
