一种用于MOCVD设备的硅基托盘及制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011425944.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112410762A | 公开（公告）日 | 2021-02-26 |
| 申请公布号 | CN112410762A | 申请公布日 | 2021-02-26 |
| 分类号 | C23C16/458(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 汪洋;余盛杰;刘佳宝;柴攀;万强 | 申请（专利权）人 | 湖南德智新材料有限公司 |
| 代理机构 | 长沙朕扬知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 刘向丹 |
| 地址 | 412000湖南省株洲市天元区中国动力谷自主创新园（研发中心C栋2楼202号） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种用于MOCVD设备的硅基托盘及制备方法，其包括构成托盘基材的Si基体和Si基体表面的复合涂层，所述复合涂层包括热解炭过渡层、Si基体与热解炭过渡层之间界面处的SiC界面层、以及最外层的SiC涂层，所述SiC界面层由热解炭过渡层与Si基体在界面处发生反应形成。高温下热解炭层可与硅基体在界面处通过化学键、强结合作用形成致密的碳化硅界面层，进一步防护托盘基材，同时热解炭层可匹配基体与最外层的热膨胀系数差异。复合涂层中软质C层结构可有效缓解最外层SiC晶体的热膨胀，以降低涂层内的应力峰值。 |
