一种用于氢化物气相外延生长氮化镓的蒸发器
基本信息
| 申请号 | CN202011466005.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112626620A | 公开（公告）日 | 2021-04-09 |
| 申请公布号 | CN112626620A | 申请公布日 | 2021-04-09 |
| 分类号 | C30B29/40;C30B25/02 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 余盛杰;汪洋;潘影;刘佳宝;柴攀;万强 | 申请（专利权）人 | 湖南德智新材料有限公司 |
| 代理机构 | 长沙朕扬知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 周孝湖 |
| 地址 | 412000 湖南省株洲市天元区中国动力谷自主创新园（研发中心C栋2楼202号） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种用于氢化物气相外延生长氮化镓的蒸发器，包括石墨基材，石墨基材的外表面包覆有硅过渡层，硅过渡层的外表面包覆有TaC涂层，TaC涂层由靠近硅过渡层的一侧至远离硅过渡层的一侧孔隙率逐渐增大。该用于氢化物气相外延生长氮化镓的蒸发器镓源的挥发效率高、蒸发器石墨基材不易受高温腐蚀性气氛侵蚀、使用寿命更长。 |
