一种用于氢化物气相外延生长氮化镓的蒸发器

基本信息

申请号 CN202011466005.5 申请日 -
公开(公告)号 CN112626620A 公开(公告)日 2021-04-09
申请公布号 CN112626620A 申请公布日 2021-04-09
分类号 C30B29/40;C30B25/02 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 余盛杰;汪洋;潘影;刘佳宝;柴攀;万强 申请(专利权)人 湖南德智新材料有限公司
代理机构 长沙朕扬知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 周孝湖
地址 412000 湖南省株洲市天元区中国动力谷自主创新园(研发中心C栋2楼202号)
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种用于氢化物气相外延生长氮化镓的蒸发器,包括石墨基材,石墨基材的外表面包覆有硅过渡层,硅过渡层的外表面包覆有TaC涂层,TaC涂层由靠近硅过渡层的一侧至远离硅过渡层的一侧孔隙率逐渐增大。该用于氢化物气相外延生长氮化镓的蒸发器镓源的挥发效率高、蒸发器石墨基材不易受高温腐蚀性气氛侵蚀、使用寿命更长。