一种具有复合涂层结构的MOCVD设备用基座盘及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011431664.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112680720A | 公开（公告）日 | 2021-04-20 |
| 申请公布号 | CN112680720A | 申请公布日 | 2021-04-20 |
| 分类号 | C23C16/26(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I;C23C16/32(2006.01)I;C23C16/458(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 汪洋;余盛杰;刘佳宝;柴攀;万强 | 申请（专利权）人 | 湖南德智新材料有限公司 |
| 代理机构 | 长沙朕扬知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 刘向丹 |
| 地址 | 412000湖南省株洲市天元区中国动力谷自主创新园（研发中心C栋2楼202号） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种具有复合涂层结构的MOCVD设备用基座盘及其制备方法，其包括基体和基体表面的复合涂层，所述复合涂层由内到外依次包括C‑SiC共沉积层、SiC涂层、SiC‑TaC共沉积梯度层和TaC涂层，所述C‑SiC共沉积层由SiC和热解C组成，所述SiC‑TaC共沉积梯度层从内到外TaC含量从0到100％呈梯度变化分布。C‑SiC共沉积层、纯SiC涂层和SiC‑TaC共沉积梯度层能够有效缓解TaC涂层热膨胀系数大而造成涂层中内应力大的影响，可有效避免TaC涂层在使用过程中出现开裂脱落等问题，延长了使用寿命。 |
