一种具有复合涂层结构的MOCVD设备用基座盘及其制备方法

基本信息

申请号 CN202011431664.5 申请日 -
公开(公告)号 CN112680720A 公开(公告)日 2021-04-20
申请公布号 CN112680720A 申请公布日 2021-04-20
分类号 C23C16/26(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I;C23C16/32(2006.01)I;C23C16/458(2006.01)I 分类 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人 汪洋;余盛杰;刘佳宝;柴攀;万强 申请(专利权)人 湖南德智新材料有限公司
代理机构 长沙朕扬知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 刘向丹
地址 412000湖南省株洲市天元区中国动力谷自主创新园(研发中心C栋2楼202号)
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种具有复合涂层结构的MOCVD设备用基座盘及其制备方法,其包括基体和基体表面的复合涂层,所述复合涂层由内到外依次包括C‑SiC共沉积层、SiC涂层、SiC‑TaC共沉积梯度层和TaC涂层,所述C‑SiC共沉积层由SiC和热解C组成,所述SiC‑TaC共沉积梯度层从内到外TaC含量从0到100%呈梯度变化分布。C‑SiC共沉积层、纯SiC涂层和SiC‑TaC共沉积梯度层能够有效缓解TaC涂层热膨胀系数大而造成涂层中内应力大的影响,可有效避免TaC涂层在使用过程中出现开裂脱落等问题,延长了使用寿命。