一种直拉法生长太阳能用8吋硅单晶的热场装置
基本信息
| 申请号 | CN201010603178.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102011181B | 公开（公告）日 | 2012-10-03 |
| 申请公布号 | CN102011181B | 申请公布日 | 2012-10-03 |
| 分类号 | C30B15/14(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 王飞;郝俊涛 | 申请（专利权）人 | 神硅新能源有限公司 |
| 代理机构 | 北京捷诚信通专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 董琪 |
| 地址 | 325000 浙江省苍南县灵溪镇工业园区二期环城北路以南温州神硅电子有限公司 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种直拉法生长太阳能用8吋硅单晶的热场装置，包括：设于炉体内腔中的保温筒，保温筒的上端部设有上石墨大盖，在上石墨大盖的上表面设有用于密封上石墨大盖与炉壁间间隙的石墨压环；上石墨大盖的中部设有一通孔，导流筒装配在通孔内，所述导流筒包括内筒和外筒，内筒成倒圆锥台形，外筒呈圆柱形，在内筒和外筒之间填充有保温碳毡，内筒和外筒的上端向外侧延展形成环形凸边，导流筒通过该环形凸边嵌装或卡装在上石墨大盖上。本发明所述的直拉法生长太阳能用8吋硅单晶的热场装置，增加了石墨压环，改进了导流筒的形状结构，既不影响固液界面平整度和拉晶速度，又能降低硅单晶中氧碳含量。 |
