一种光学一致透明导电薄膜及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201910689170.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110415865A | 公开（公告）日 | 2019-11-05 |
| 申请公布号 | CN110415865A | 申请公布日 | 2019-11-05 |
| 分类号 | H01B5/14（2006.01）I; H01B13/00（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘腾蛟; 苏燕平; 李鑫; 胡源 | 申请（专利权）人 | 北京华纳高科科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京方安思达知识产权代理有限公司 | 代理人 | 北京华纳高科科技有限公司 |
| 地址 | 101111 北京市大兴区亦庄经济开发区科创十四街99号，汇龙森科技园7号楼一单元502 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种光学一致透明导电薄膜及其制备方法，解决了金属纳米线透明导电薄膜后刻蚀痕明显、光稳定性差、纳米材料易被腐蚀和金属离子迁移的问题。添加折射率可匹配且耐腐蚀性高的纳米颗粒、附加光学补偿层、使用带有防眩层的基底等方式可解决金属纳米线导电薄膜后处理刻蚀痕明显的问题；通过使用电学补偿层提供一种整版导电的透明导电薄膜，提高其耐腐蚀性；保护液中加入紫外稳定剂提高了导电膜的光稳定性；保护液中的抗氧化剂、树状高分子和络合剂解决了纳米材料易被腐蚀和金属离子迁移的问题。 |
