车规级整流芯片的制成方法
基本信息
| 申请号 | CN202111212869.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114005733A | 公开（公告）日 | 2022-02-01 |
| 申请公布号 | CN114005733A | 申请公布日 | 2022-02-01 |
| 分类号 | H01L21/02（2006.01）I;H01L21/306（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 马奕超 | 申请（专利权）人 | 深圳辰达行电子有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市创富知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李秀丽 |
| 地址 | 518031广东省深圳市福田区梅林街道梅都社区中康路128号卓越梅林中心广场（北区）4号楼1402 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及半导体晶圆技术领域，具体涉及车规级整流芯片的制成方法，包括如下步骤：预先提供硅晶片，对硅晶片两面涂布光刻胶并按照掩模图形进行曝光，以使硅晶片表面形成镂空图形；根据中曝光的镂空图形，使用混合酸对硅晶片表面形成的图形进行腐蚀，形成圆环沟槽；通过有机溶剂去除硅晶片表面的胶及其他有机污染物，随后使用无尘布或无尘棉蘸丙酮轻轻擦洗；本发明中，通过刻蚀技术在硅晶片的表面形成圆环沟槽，使其整流基材的整体无边角，因此电流在流动的过程中不会出现向边角集中的情况，避免了现有的车规级整流芯片由于边角处电流集中而发生芯片边角处被提前击穿而失效的问题，提高了车规级整流芯片的抗反向浪涌电流能力差。 |
