一种沟槽肖特基二极管
基本信息
| 申请号 | CN202020390128.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN211428178U | 公开（公告）日 | 2020-09-04 |
| 申请公布号 | CN211428178U | 申请公布日 | 2020-09-04 |
| 分类号 | H01L29/872(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 马奕俊 | 申请（专利权）人 | 深圳辰达行电子有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 518000广东省深圳市福田区华强北街道华航社区中航路7号鼎诚国际大厦2601 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及二极管技术领域，且公开了一种沟槽肖特基二极管，包括二极管壳体，所述二极管壳体的左侧固定连接有引脚，所述二极管壳体的右侧活动连接有安装板，所述二极管壳体的顶部活动连接有顶盖，所述二极管壳体的底部固定连接有底座，所述底座的内部活动连接有散热片。该沟槽肖特基二极管，通过同时将两个L形杆向相对的一侧进行挤压，使得L形杆带动套筒向连接杆方向移动，然后将L形杆向上移动，并带动安装板一同向上移动，当套筒位于工形槽内部的顶端时，放开被挤压的两个L形杆，使得套筒通过弹簧的弹力被弹开，并通过弹簧的弹紧力使得套筒与工形槽内部的顶部固定，从而便可对二极管壳体底部的散热片进行更换。 |
