一种碳化硅肖特基二极管制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202111212878.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114005752A | 公开（公告）日 | 2022-02-01 |
| 申请公布号 | CN114005752A | 申请公布日 | 2022-02-01 |
| 分类号 | H01L21/329（2006.01）I;H01L29/872（2006.01）I;H01L29/16（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 马奕超 | 申请（专利权）人 | 深圳辰达行电子有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市创富知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李秀丽 |
| 地址 | 518031广东省深圳市福田区梅林街道梅都社区中康路128号卓越梅林中心广场（北区）4号楼1402 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及二极管制造技术领域，具体涉及一种碳化硅肖特基二极管制造方法，包括如下步骤：预先提供碳化硅衬底，并在碳化硅衬底的表面上外延形成碳化硅层；利用掩模版刻蚀，以使碳化硅层的表面上注入介质层；根据中刻蚀的碳化硅层区域注入磷离子，同时掺杂铝离子，形成磷离子结；利用腐蚀液去除介质层，同时在碳化硅的背面喷溅欧姆接触金属，并进行退火激活，快速退火以形成欧姆接触；本发明中，在喷溅肖特基接触金属工艺过程中直接达到了肖特基退火作用，形成良好的肖特基接触，通过掩模版刻蚀并通过SiO2腐蚀液去除介质层，防止了与碳化硅衬底接触的肖特基接触金属表面与溶液接触而导致的有机物及颗粒的污染。 |
