提高半导体型碳纳米管发光效率的方法
基本信息
| 申请号 | CN200710099289.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101308889B | 公开（公告）日 | 2010-08-18 |
| 申请公布号 | CN101308889B | 申请公布日 | 2010-08-18 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 谭平恒;张俊;李桂荣 | 申请（专利权）人 | 北京中科雁栖投资有限公司 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明一种提高半导体型碳纳米管发光效率的方法，其特征在于，该方法包括：制备含有不同带隙半导体型碳纳米管的碳纳米管束；把碳纳米管束准备成发光器件，选择能量与碳纳米管束中的宽带隙半导体型碳纳米管的带隙相接近或相等的激发光去激发碳纳米管束来提高碳纳米管束中窄带隙半导体型碳纳米管的光致发光效率；或者把碳纳米管束准备成发光器件，在碳纳米管束两端施加偏压，来提高碳纳米管束中窄带隙半导体型碳纳米管的电荧光发光效率。 |
