一种OLED结构及其制作方法

基本信息

申请号 CN201910777514.0 申请日 -
公开(公告)号 CN110581225B 公开(公告)日 2021-09-07
申请公布号 CN110581225B 申请公布日 2021-09-07
分类号 H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 分类 基本电气元件;
发明人 王绍华;褚天舒;汪烨辰 申请(专利权)人 湖畔光电科技(江苏)有限公司
代理机构 南京勤行知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 吕波
地址 213200 江苏省常州市金坛区华城中路168号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及OLED技术领域,特别是一种OLED结构,包括基底,所述基底沉积一层阳极,所述阳极上依次沉积空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层,所述空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层构造呈梯形分布,从下至上每层面积逐渐减少;所述电子传输层上沉积电子注入层和金属阴极,所述电子注入层面积大于空穴注入层,金属阴极面积大于电子注入层;最后在金属阴极上依次沉积氧化铝封装层和氮化硅封装层。采用上述结构和方法后,本发明从OLED器件的膜层构造进行优化,降低发光区Edge部有机膜层段差和坡度,可显著提高Edge部的金属阴极膜层均一性,降低膜层间的应力,提升产品的良率水平。