制造相变化记忆体的方法与相变化记忆体组件
基本信息
| 申请号 | CN202110833924.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113782672A | 公开（公告）日 | 2021-12-10 |
| 申请公布号 | CN113782672A | 申请公布日 | 2021-12-10 |
| 分类号 | H01L45/00（2006.01）I;H01L27/24（2006.01）I;H01L25/18（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 甘东;林仲汉 | 申请（专利权）人 | 北京时代全芯存储技术股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐金国 |
| 地址 | 100094北京市海淀区丰豪东路9号院2号楼8层4单元802 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明揭露一种制造相变化记忆体的方法与相变化记忆体组件。制造相变化记忆体的方法包含以下操作：形成第一晶圆，其中第一晶圆包含绝缘体上半导体结构；形成一记忆体材料层于绝缘体上半导体结构上；形成第一金属材料层于记忆体材料层上，以形成第一半导体组件。本发明具有制程简单、低成本的优势，并可降低制造成本及提升制造良率。 |
