聚焦离子束物理气相沉积装置
基本信息
| 申请号 | CN201511033542.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105441894A | 公开（公告）日 | 2016-03-30 |
| 申请公布号 | CN105441894A | 申请公布日 | 2016-03-30 |
| 分类号 | C23C14/46(2006.01)I;C23C14/56(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 孙嵩泉;郭祖华;朱向炜;葛怀庆 | 申请（专利权）人 | 蚌埠雷诺真空技术有限公司 |
| 代理机构 | 蚌埠鼎力专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 张建宏 |
| 地址 | 233010 安徽省蚌埠市东海大道6318号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 聚焦离子束物理气相沉积装置，工艺腔与靶材传动腔及基片传动腔连通，靶材传动腔、基片传动腔分别与装靶腔及装片腔连通，工艺腔内设有靶托、基片架、掩模板以及具有聚焦模块的离子源，靶材传动腔、基片传动腔内分别设有真空机械手装置，基片传动腔还与热处理腔连通。通过将工艺腔，装靶腔﹑装片腔﹑靶材传动腔和基片传动腔及热处理腔整合在一起并整体形成真空环境，可在真空环境下实现靶材间的更换、及薄膜材料制备的全流程。通过聚焦模块聚焦后的离子束可集中只轰击靶材表面，以避免交叉污染，且靶材的尺寸可以减小，减少靶材损耗，提高靶材利用率。还可以避免溅射靶材之间的交叉污染，以及制备装置内非工艺气体污染源对薄膜镀膜造成的污染。 |
