高能电子注入式半导体激光器
基本信息
| 申请号 | CN201410209979.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105098592A | 公开（公告）日 | 2015-11-25 |
| 申请公布号 | CN105098592A | 申请公布日 | 2015-11-25 |
| 分类号 | H01S5/02(2006.01)I;H01S5/06(2006.01)I;H01S5/22(2006.01)I;H01S5/024(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 蔡元学;姜春香 | 申请（专利权）人 | 天津博霆科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 300000 天津市津南区辛庄镇商业街鑫旺里69号1-209室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于仪器设备技术领域，尤其涉及一种高能电子注入式半导体激光器，所述套管内设有谐振腔、回气腔、放电腔，所述回气腔内部设有储气套管，所述储气套管上设有贮气瓶、镇气瓶、气压监测器，所述贮气瓶、镇气瓶之间设有电磁真空充气阀，所述镇气瓶、气压检测器之间设有波纹管，所述气压检测器部分位于所述回气腔内，部分穿过回气腔位于所述回气腔外面，所述导体阳极由外及内依次为上电极、上光限制层、上波导层、下波导层、下光限制层、背电极层，所述上波导层、下波导层之间设有有源层，所述下光限制层、背电极层之间设有衬底，所述上光限制层的截面形状为脊波导。 |
