一种高速光电探测器及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110983023.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113707742A | 公开（公告）日 | 2021-11-26 |
| 申请公布号 | CN113707742A | 申请公布日 | 2021-11-26 |
| 分类号 | H01L31/0352（2006.01）I;H01L31/105（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 郭银银;周鹏;张林建 | 申请（专利权）人 | 江苏索尔思通信科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京市领专知识产权代理有限公司 | 代理人 | 林辉轮;张玲 |
| 地址 | 213200江苏省常州市金坛区东城街道晨风路1036号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种高速光电探测器及其制备方法，该高速光电探测器包括在衬底上从下至上依次制备形成的N型InP欧姆接触层、InGaAs吸收层、InP包层以及P型InGaAs欧姆接触层，所述InGaAs吸收层的截面积小于所述InP包层的截面积。本发明结构中，InGaAs吸收层的截面积小于所述InP包层的截面积，利用InGaAs本征区的蘑菇台设计，即缩小截面积用以降低PIN二极管结电容，从而获得更高的带宽，可以满足5G高速光传输及25G/100G/200G/400G光传送网领域应用的需求。 |
