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一种低温烧结制备陶瓷电路板方法

基本信息

申请号 CN202111098603.6 申请日 -
公开（公告）号 CN113795091A 公开（公告）日 2021-12-14
申请公布号 CN113795091A 申请公布日 2021-12-14
分类号 H05K3/38;H05K3/00;C04B37/02 分类 其他类目不包含的电技术;
发明人 陈明祥;刘佳欣;刘松坡;黄卫军 申请（专利权）人 武汉利之达科技股份有限公司
代理机构 湖北高韬律师事务所 代理人 鄢志波
地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种低温烧结制备陶瓷电路板方法，包括首先向纳米金属颗粒中添加活性金属颗粒，并加入有机溶剂，经搅拌、脱泡处理后得到纳米金属活性焊膏；然后在陶瓷基片表面通过丝网印刷涂覆活性焊膏；再在活性焊膏层上覆盖铜箔，经过低温烧结(<300℃)得到陶瓷覆铜板；最后通过光刻、显影和刻蚀工艺在铜层上形成图形，得到单面或双面陶瓷电路板。利用活性金属元素可以实现铜箔与陶瓷基片直接键合，采用纳米金属颗粒降低烧结温度，得到高强度陶瓷覆铜板。与现有厚膜印刷陶瓷基板(TPC)、直接键合铜‑陶瓷基板(DBC)和活性金属焊接陶瓷基板(AMB)制备方法相比，本发明工艺简单，烧结温度低，满足功率器件封装及散热需求。