一种薄膜厚膜混合集成陶瓷基板及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202111467922.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114188300A | 公开（公告）日 | 2022-03-15 |
| 申请公布号 | CN114188300A | 申请公布日 | 2022-03-15 |
| 分类号 | H01L23/498（2006.01）I;H01L21/48（2006.01）I;H05K1/02（2006.01）I;H05K1/03（2006.01）I;H05K3/00（2006.01）I;H05K3/06（2006.01）I;H05K3/10（2006.01）I;H05K3/24（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘松坡;黄卫军 | 申请（专利权）人 | 武汉利之达科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 湖北高韬律师事务所 | 代理人 | 鄢志波 |
| 地址 | 430000湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号未来科技城龙山创新园一期C1栋703室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种薄膜/厚膜混合集成陶瓷基板，具体包括采用半导体薄膜工艺制备的薄膜陶瓷基板和采用图形电镀工艺制备的厚膜陶瓷基板，两者共用同一陶瓷基片，并通过表面金属层实现电连接。其中，所述薄膜陶瓷基板含有薄膜多层布线、金属通孔和金锡合金层，用作电阻、电感、电容等数字/控制电路；所述厚膜陶瓷基板含有厚金属层和金属通孔，用于功率器件封装。本发明专利还公开了一种薄膜/厚膜混合集成陶瓷基板制备方法。通过本发明，在同一块陶瓷基片上实施薄膜与图形电镀工艺，实现薄膜/厚膜陶瓷基板混合集成，提高器件集成度与可靠性。 |
