一种厚膜再电镀陶瓷基板及其制备方法

基本信息

申请号 CN202111466541.X 申请日 -
公开(公告)号 CN114190003A 公开(公告)日 2022-03-15
申请公布号 CN114190003A 申请公布日 2022-03-15
分类号 H05K3/12(2006.01)I;H05K3/24(2006.01)I;H05K1/02(2006.01)I;H05K1/09(2006.01)I;H05K3/00(2006.01)I;H01L23/498(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I 分类 其他类目不包含的电技术;
发明人 刘松坡;刘学昌;张树强;黄卫军 申请(专利权)人 武汉利之达科技股份有限公司
代理机构 湖北高韬律师事务所 代理人 鄢志波
地址 430000湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号未来科技城龙山创新园一期C1栋703室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种厚膜再电镀陶瓷基板及其制备方法,所述厚膜再电镀陶瓷基板结构包括陶瓷基片、厚膜导电层、电镀铜层和表面处理层。制备方法包括:首先在陶瓷基片表面印刷厚膜金属浆料,烧结后形成厚膜导电层;接着在非厚膜导电层区域再印刷导电胶和绝缘胶,分别作为电镀导电层和电镀掩模层;然后通过电镀工艺在厚膜导电层表面电镀沉积铜层,电镀完成后采用溶剂溶解掉电镀导电层和电镀掩模层;最后通过化学镀工艺在电镀铜层和厚膜导电层上沉积表面处理层,得到厚膜再电镀陶瓷基板。本专利通过厚膜印刷和再电镀技术制备陶瓷基板,制备工艺简单,省去了光刻显影等图形化工艺,同时采用低成本导电浆料代替昂贵的金基浆料,有效降低了制造成本。