IGBT模块
基本信息
| 申请号 | CN202022067634.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN212725305U | 公开（公告）日 | 2021-03-16 |
| 申请公布号 | CN212725305U | 申请公布日 | 2021-03-16 |
| 分类号 | H01L23/34(2006.01)I;H01L23/49(2006.01)I;H01L25/18(2006.01)I;H01L25/16(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陆均尧;郝文煊;孟祥轩 | 申请（专利权）人 | 山东斯力微电子有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 255000山东省淄博市高新区青龙山路7588号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供IGBT模块，包括封装结构和电路板，以及规格大小相同的第一IGBT单元、第二IGBT单元、第三IGBT单元、第四IGBT单元、第五IGBT单元和第六IGBT单元；所述电路板与所述封装结构连接，且包括通过键合铝线连接的第一子电路板、第二子电路板和第三子电路板；所述第一IGBT单元和所述第二IGBT单元设置在所述第一子电路板上，所述第三IGBT单元和所述第四IGBT单元设置在所述第二子电路板上，所述第五IGBT单元和所述第六IGBT单元设置在所述第三子电路板上，并且在所述IGBT模块的长度方向上依次排布。本实施例中IGBT模块的额定电压为1200V且额定电流可达200A，可适用于更大功率器件的场合应用；通过对IGBT单元的排布进行调整并结合超声键合技术，可以保证模块具有良好的散热性能。 |
