一种MOCVD设备及其反应室密封结构
基本信息
| 申请号 | CN201020287647.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN201793731U | 公开（公告）日 | 2011-04-13 |
| 申请公布号 | CN201793731U | 申请公布日 | 2011-04-13 |
| 分类号 | C23C16/44(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 吴智洪 | 申请（专利权）人 | 上海昀丰光电技术有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 上海昀丰光电技术有限公司;浙江昀丰新材料科技股份有限公司 |
| 地址 | 201201 上海市张江高科技产业东区胜利路836号7幢甲501 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种MOCVD反应室密封结构，包括：水冷电极内外管套轴，其上设有供四个水冷电极外管穿过的四个套管安装孔以及热电偶安装孔，水冷电极内外管套轴套设在四个水冷电极外管上，石墨托盘转轴可转动的套设在水冷电极内外管套轴上；设置在石墨托盘转轴和水冷电极内外管套轴之间的内图磁流体；套装在石墨托盘转轴上并固定在机架安装板上的磁流体座；设置在石墨托盘转轴和磁流体座之间的外圈磁流体。本实用新型通过分别在石墨托盘转轴与水冷电极内外管套轴、石墨托盘转轴与磁流体座之间设置磁流体，实现密封。不需要用N2去实现反应室腔体内外的隔绝。本实用新型还公开了一种具有上述密封结构的MOCVD设备。 |
