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一种含薄气隙结构的轴对称电磁场气隙力计算方法

基本信息

申请号 CN202110501086.6 申请日 -
公开（公告）号 CN113326642A 公开（公告）日 2021-08-31
申请公布号 CN113326642A 申请公布日 2021-08-31
分类号 G06F30/23（2020.01）I;G06F30/30（2020.01）I 分类 计算；推算；计数;
发明人 江鹏;张群 申请（专利权）人 英特工程仿真技术（大连）有限公司
代理机构 大连东方专利代理有限责任公司 代理人 修睿;李洪福
地址 116000辽宁省大连市高新园区火炬路56A第21层（2101室）
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种含薄气隙结构的轴对称电磁场气隙力计算方法。本发明包括如下步骤：建立邻近物体间含气隙层的电磁场有限元模型，得到有限元矩阵；基于气隙磁场沿着气隙厚度方向的薄气隙假设，构建气隙的辅助势方程，在构建的气隙的辅助势方程中引入辅助势连续性条件，得到气隙的能量泛函；在气隙的能量泛函中引入坐标变换，从而获得轴对称气隙壳单元的系数矩阵，并集成所述有限元矩阵，得到并计算整体有限元矩阵，得到邻近物体中的磁场分布；根据邻近物体中的磁场分布和电磁场边界的连续性条件，获得气隙中的磁场分布，从而求解出气隙壳单元作用于相邻的主域单元的气隙力。本发明有效解决了气隙很薄时对气隙进行网格剖分方法所遇到的困难。