一种实现晶格阻断的零气泡Ge/Si异质混合集成方法
基本信息
| 申请号 | CN201910940185.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110676158B | 公开（公告）日 | 2022-06-14 |
| 申请公布号 | CN110676158B | 申请公布日 | 2022-06-14 |
| 分类号 | H01L21/18（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 柯少颖;陈松岩;黄东林;周锦荣 | 申请（专利权）人 | 闽南师范大学 |
| 代理机构 | 福州元创专利商标代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 363000福建省漳州市芗城区县前直街36号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种可实现晶格阻断的零气泡Ge/Si异质混合集成方法，其具体是通过将非晶结构的Si和Ge双叠层结构引入到Ge/Si键合界面，一方面通过a‑Ge的退火晶化实现无氧化层高强度Ge/Si键合，另一方面利用a‑Si阻断单晶Si和单晶Ge之间的晶格失配，彻底屏蔽失配位错来源，并通过疏松结构的a‑Si实现键合界面副产物的排出和晶格的彻底阻断，以制备无界面气泡、无氧化层、无穿透位错的Ge/Si键合界面。 |
