一种无气泡无穿透位错Ge/Si异质混合集成方法
基本信息
| 申请号 | CN201910944976.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110660655B | 公开（公告）日 | 2022-05-03 |
| 申请公布号 | CN110660655B | 申请公布日 | 2022-05-03 |
| 分类号 | H01L21/18（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 柯少颖;陈松岩;黄东林;周锦荣 | 申请（专利权）人 | 闽南师范大学 |
| 代理机构 | 福州元创专利商标代理有限公司 | 代理人 | 修斯文;蔡学俊 |
| 地址 | 363000福建省漳州市芗城区县前直街36号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种无气泡无穿透位错Ge/Si低温键合方法，所述方法包括Si和Ge基底材料的处理、Ge薄膜的晶化、抛光、Ge/Si键合。本发明利用多晶Ge的疏松结构和存在晶界的特点对Ge/Si键合界面的气泡进行吸收和转移，实现零气泡的Ge/Si键合界面。其次利用多晶Ge晶向混乱的性质将Ge和Si单晶体隔离开来，使得Ge和Si之间的晶格失配得到缓解，因此能有效的限制穿透位错的成核，实现穿透位错密度的进一步降低。 |
