功率半导体封装结构
基本信息
| 申请号 | CN202111520330.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114203642A | 公开（公告）日 | 2022-03-18 |
| 申请公布号 | CN114203642A | 申请公布日 | 2022-03-18 |
| 分类号 | H01L23/10（2006.01）I;H01L23/14（2006.01）I;H01L23/367（2006.01）I;H01L21/50（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 梁小广;丁烜明;洪旭;朱荣 | 申请（专利权）人 | 无锡利普思半导体有限公司 |
| 代理机构 | 上海段和段律师事务所 | 代理人 | 祁春倪 |
| 地址 | 214000江苏省无锡市市辖区建筑西路599-1（1号楼）十七层1710、1711室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种功率半导体封装结构，包括：pressfit端子、绝缘散热基板、半导体芯片、绑定线、金属底座、底板以及外壳；所述半导体芯片焊接在绝缘散热基座上，所述金属底座的一端焊接有金属片，将金属片焊接在绝缘散热基板上，所述pressfit端子的一端安装金属底座中，所述pressfit端子的另一端延伸出外壳，所述绑定线用于连接各部件，所述绝缘散热基板安装于外壳和底板连接所形成的腔体内部，外壳内部注入绝缘填充介质。本功率半导体封装结构强化了金属底座与绝缘散热底板的连接，防止因为应用环境的振动带来的底座脱落现象。 |
