一种制造沟槽MOSFET的方法
基本信息
| 申请号 | CN202210380606.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114496762A | 公开（公告）日 | 2022-05-13 |
| 申请公布号 | CN114496762A | 申请公布日 | 2022-05-13 |
| 分类号 | H01L21/28（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王加坤;姚兆铭 | 申请（专利权）人 | 杭州芯迈半导体技术有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 310051浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号1-1201 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种制造沟槽MOSFET的方法，包括：对半导体基底生长一层热氧化层、沉积硬掩膜以及刻蚀形成从半导体上表面延伸至其内部的沟槽；于沟槽内形成侧氧化层；于沟槽注入硬掩膜；在沟槽中形成覆盖沟槽的底部和下部侧壁的屏蔽导体；将热氧化层去除；进行湿法刻蚀，以去除侧氧化层；于沟槽上方沉积氧化层；刻蚀氧化层,使氧化层的上表面低于屏蔽导体的上表面；于沟槽内、氧化层上方生成栅介质层和栅极导体，栅介质层位于沟槽的上部侧壁，且将栅极导体与半导体基底隔开；以及于半导体基底形成体区、源区以及漏极电极。本发明通过改善了多晶栅形貌，进而优化器件的质量因子。 |
