分离栅MOSFET及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202111635852.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114678275A | 公开（公告）日 | 2022-06-28 |
| 申请公布号 | CN114678275A | 申请公布日 | 2022-06-28 |
| 分类号 | H01L21/336（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 蔡金勇;董仕达;王加坤 | 申请（专利权）人 | 杭州芯迈半导体技术有限公司 |
| 代理机构 | 北京成创同维知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 310051浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开了一种分离栅MOSFET及其制造方法。该制造方法包括：形成从第一掺杂类型的半导体层的上表面延伸至其内部的第一槽；利用第一槽形成与第一槽连通的第二槽，第一槽和第二槽的延伸方向一致；形成覆盖第二槽内表面的第一介质层，覆盖第一槽内表面第二介质层；形成位于第二槽的第一导体，第一介质层将第一导体与半导体层隔离；形成覆盖在第一导体表面的第三介质层；形成位于第一槽的第二导体，第二介质层将第二导体与半导体层隔离，第三介质层将第一导体与第二导体隔离；形成位于半导体层邻近第一槽，并与第一槽相邻的第二掺杂类型的体区，其中，第一槽的内径大于第二槽的内径。该制造方法扩展了工艺窗口，有利于形成第三介质层。 |
