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金属氧化物半导体器件与其制作方法

基本信息

申请号	CN202111427488.2	申请日	-
公开（公告）号	CN114171577A	公开（公告）日	2022-03-11
申请公布号	CN114171577A	申请公布日	2022-03-11
分类号	H01L29/06（2006.01）I;H01L27/088（2006.01）I;H01L21/8234（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	孙鹤;王加坤	申请（专利权）人	杭州芯迈半导体技术有限公司
代理机构	上海光华专利事务所（普通合伙）	代理人	丁俊萍
地址	310051浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号1-1201
法律状态	-

摘要

本发明提供了一种金属氧化物半导体器件与其制作方法。金属氧化物半导体器件包括：半导体基体、场氧化层、第一JFET注入区与第二JFET注入区。半导体基体上表面定义有源区与多个栅极区，每一有源区被多个栅极区环绕，并且多个栅极区是互相交错而形成重叠的栅极交汇区。场氧化层局部地覆盖栅极交汇区。第一JFET注入区是通过注入离子至半导体基体的上表面所形成，并且位于栅极交汇区，其中，第一JFET注入区是环绕场氧化层在栅极交汇区的投影区的配置。第二JFET注入区是通过注入离子至半导体基体的上表面所形成，并且位于多个栅极区中。本发明提升击穿电压，进而提升了器件在栅极交汇区的对角方向上的耐压性能，改善器件的稳定性。