碳化硅功率半导体器件结构
基本信息
| 申请号 | CN202111197940.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114203820A | 公开（公告）日 | 2022-03-18 |
| 申请公布号 | CN114203820A | 申请公布日 | 2022-03-18 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I;H01L29/417（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨啸;陈辉 | 申请（专利权）人 | 杭州芯迈半导体技术有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 罗泳文 |
| 地址 | 310051浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号1-1201 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种碳化硅功率半导体器件结构，包括：第一导电类型衬底、第一导电类型漂移区、第二导电类型体区、第一导电类型源区、第二导电类型基区、结型场效应晶体管区、第二导电类型屏蔽区、栅极结构、绝缘层及源极金属层。本发明通过将源极接触窗口设置为至少有一条边线不超出第二导电类型体区与该边线对应的边缘，从而缩小源极接触窗口的面积，使源极金属层只在局部与第一导电类型源区接触。本发明可以有效将碳化硅功率半导体器件结构的总面积进一步缩小，增大沟道长度和结型场效应晶体管区面积与器件结构的总面积的比值，即增大了沟道密度和结型场效应晶体管区的密度，进而减小器件结构的比导通电阻。 |
