分离栅功率MOS器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202110975073.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114156183A | 公开（公告）日 | 2022-03-08 |
| 申请公布号 | CN114156183A | 申请公布日 | 2022-03-08 |
| 分类号 | H01L21/336（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王加坤;吴兵 | 申请（专利权）人 | 杭州芯迈半导体技术有限公司 |
| 代理机构 | 北京成创同维知识产权代理有限公司 | 代理人 | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址 | 310051浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 公开了一种分离栅功率MOS器件及其制造方法，方法包括：在衬底上形成外延层，在外延层中形成沟槽；在外延层表面和沟槽中形成第一绝缘层；在空腔中填充多晶硅并进行回蚀刻；在第一栅极导体的表面旋转涂布形成第二绝缘层；在第二绝缘层上形成掩膜，去除外延层表面和沟槽中所述掩膜侧壁的第一绝缘层，暴露沟槽的上部；在沟槽上部的侧壁和外延层的表面形成栅氧化层；在沟槽的上部中形成第二栅极导体。本申请的分离栅功率MOS器件的制造方法中，采用SOG工艺形成第二绝缘层，在回蚀刻第一绝缘层时采用掩膜保护第二绝缘层，降低了第二绝缘层厚度过厚或过薄的问题，从而降低了第一栅极导体与第二栅极导体之间的耐压和漏电问题。 |
