沟槽型功率器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202111652594.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114512545A | 公开（公告）日 | 2022-05-17 |
| 申请公布号 | CN114512545A | 申请公布日 | 2022-05-17 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨啸;陈辉;王加坤 | 申请（专利权）人 | 杭州芯迈半导体技术有限公司 |
| 代理机构 | 北京成创同维知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 310051浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开了沟槽型功率器件及其制造方法。所述沟槽型功率器件包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的漂移区；位于所述漂移区中的第一沟槽和第二沟槽；位于所述第一沟槽中的栅叠层；以及位于所述第二沟槽侧壁上的肖特基金属，其中，所述肖特基金属与所述漂移区形成肖特基势垒二极管。该沟槽型功率器件采用双沟槽结构，将沟槽型MOSFET和肖特基势垒二极管相结合且将肖特基金属形成在沟槽侧壁上，不仅可以提高功率器件的性能，而且可以减小功率器件的单元面积。 |
