沟槽型功率器件的制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202111648832.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114429906A | 公开（公告）日 | 2022-05-03 |
| 申请公布号 | CN114429906A | 申请公布日 | 2022-05-03 |
| 分类号 | H01L21/336（2006.01）I;H01L21/265（2006.01）I;H01L21/266（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨啸;陈辉;王加坤 | 申请（专利权）人 | 杭州芯迈半导体技术有限公司 |
| 代理机构 | 北京成创同维知识产权代理有限公司 | 代理人 | 蔡纯 |
| 地址 | 310051浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开了沟槽型功率器件的制造方法。所述制造方法包括：在半导体衬底上形成漂移区；在所述漂移区中形成第一沟槽和第二沟槽；在所述第一沟槽中形成栅叠层；采用第一离子注入，在所述漂移区中形成P型的阱区和掺杂区；以及采用第二离子注入，在所述阱区中形成N型的源区，其中，所述第一离子注入形成掺杂剂浓度随着深度逐渐减小的阱区，所述第二离子注入将所述阱区的上部反型以形成所述源区。该制造方法在公共的离子注入步骤中以自对准方式形成P型的阱区和掺杂区，不仅可以提高功率器件的性能，而且可以减少离子注入的工艺步骤和掩模数量，从而降低功率器件的制造成本。 |
