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一种碳化硅MOSFET器件及其制造方法

基本信息

申请号	CN202210155406.1	申请日	-
公开（公告）号	CN114496801A	公开（公告）日	2022-05-13
申请公布号	CN114496801A	申请公布日	2022-05-13
分类号	H01L21/336（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	罗佳敏;孙鹤	申请（专利权）人	杭州芯迈半导体技术有限公司
代理机构	上海光华专利事务所（普通合伙）	代理人	-
地址	310051浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号1-1201
法律状态	-

摘要

本申请实施例公开了一种碳化硅MOSFET器件的制造方法，包括在漏极上形成第一掺杂类型的衬底；在衬底上形成第一掺杂类型的漂移区；在漂移区上形成多个第二掺杂类型的体区；淀积/生长场氧化层，特别地，在A多晶栅极区有场氧化层遮挡；JFET注入，使得：邻近A多晶栅极区的漂移区没有JFET注入，而邻近B多晶栅极区内的漂移区有JFET注入；移除场氧化层，并进行：有源源蚀刻、栅极层生长、多晶硅沉积、多晶硅蚀刻；源CT和栅CT刻蚀，P+注入；金属沉积和蚀刻；以及钝化/聚酰亚胺沉积和蚀刻。本发明在不改变工艺步骤且不增加工艺流程的前提下，仅对JFET注入屏蔽做修改，在A多晶栅极区的场氧化层下方不做JFET注入。藉此，当MOS承受反向耐压时A多晶栅极区下方JFET区更容易耗尽，不影响器件耐压。