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分离栅MOSFET及其制造方法

基本信息

申请号	CN202111635879.3	申请日	-
公开（公告）号	CN114678276A	公开（公告）日	2022-06-28
申请公布号	CN114678276A	申请公布日	2022-06-28
分类号	H01L21/336（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	蔡金勇;董仕达;王加坤	申请（专利权）人	杭州芯迈半导体技术有限公司
代理机构	北京成创同维知识产权代理有限公司	代理人	-
地址	310051浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号
法律状态	-

摘要

本申请公开了一种分离栅MOSFET及其制造方法。该制造方法包括：形成从第一掺杂类型的半导体层的上表面延伸至其内部的腔体；去除位于腔体侧壁的部分半导体层，以形成第一槽；形成与第一槽连通的第二槽，第一槽和第二槽的延伸方向一致；形成覆盖第二槽内表面的第一介质层，覆盖第一槽内表面第二介质层；形成位于第二槽的第一导体，第一介质层将第一导体与半导体层隔离；形成覆盖在第一导体表面的第三介质层；形成位于第一槽的第二导体，第二介质层将第二导体与半导体层隔离，第三介质层将第一导体与第二导体隔离；形成位于半导体层邻近第一槽，并与第一槽相邻的第二掺杂类型的体区，第一槽的内径大于第二槽的内径。该制造方法扩展了工艺窗口。