提升耐压工艺窗口的超结器件
基本信息
| 申请号 | CN202111487782.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113889525B | 公开（公告）日 | 2022-03-18 |
| 申请公布号 | CN113889525B | 申请公布日 | 2022-03-18 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/165（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李吕强;陈辉;王加坤 | 申请（专利权）人 | 杭州芯迈半导体技术有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 贺妮妮 |
| 地址 | 310051浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号1-1201 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种提升耐压工艺窗口的超结器件，包括：半导体衬底；沉积于半导体衬底上的外延层，外延层包括第一半导体层及层叠于其上的第二半导体层，且第一半导体层的禁带宽度大于第二半导体层的禁带宽度；形成于外延层中的超结结构，超结结构包括至少一个第一导电类型的第一外延柱及至少一个第二导电类型的第二外延柱，第一外延柱与第二外延柱横向交替排布。通过采用具有夹层结构的外延层制备超结结构，由于下层的禁带宽度大于上层的禁带宽度，当超结结构在中部区域电场高于两端的电场时，由于第一半导体层的临界电场大于第二半导体层的临界电场，可以保证中部区域不提前击穿，从而可以在保证超结结构的高耐压下扩大耐压工艺窗口。 |
