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一种光刻机生产用硅半导体的硅晶片腐化池

基本信息

申请号 CN202021502878.2 申请日 -
公开（公告）号 CN213366533U 公开（公告）日 2021-06-04
申请公布号 CN213366533U 申请公布日 2021-06-04
分类号 H01L21/67 分类 基本电气元件;
发明人 李俊毅;陈舜钦;姚恒裕;林雅芳 申请（专利权）人 新毅东（上海）科技有限公司
代理机构 泉州市兴博知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 易敏
地址 100000 北京市石景山区政达路6号院4号楼12层1212
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型涉及光刻机领域，尤其涉及一种光刻机生产用硅半导体的硅晶片腐化池。本实用新型要解决的技术问题是提供一种能够加快晶圆腐蚀速度提高生成电路进程的光刻机生产用硅半导体的硅晶片腐化池。一种光刻机生产用硅半导体的硅晶片腐化池，包括有安装筒、腐化剂池、十字放置架、卡接片、驱动组件、出液管和阀门；腐化剂池固接于安装筒顶部；出液管固接于腐化剂池侧壁，且与腐化剂池内连通；阀门固接于出液管；驱动组件固接于安装筒内壁，且输出端贯穿腐化剂池向腐化剂池内延伸。本实用新型达到了加快晶圆腐蚀速度提高生成电路进程的效果。