一种分栅结构的半浮栅晶体管及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202111414300.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114220741A | 公开（公告）日 | 2022-03-22 |
| 申请公布号 | CN114220741A | 申请公布日 | 2022-03-22 |
| 分类号 | H01L21/336（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/788（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 晁鑫;王晨;陈琳;孙清清;张卫 | 申请（专利权）人 | 复旦大学 |
| 代理机构 | 北京得信知识产权代理有限公司 | 代理人 | 孟海娟 |
| 地址 | 200433上海市杨浦区邯郸路220号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种分栅结构的半浮栅晶体管及其制备方法。该分栅结构的半浮栅晶体管包括衬底，其形成有P阱区、N阱区和U型槽，其中，N阱区位于P阱区上方，U型槽贯穿N阱区；第一栅氧化层，形成在所述U型槽表面并延伸覆盖部分所述N阱区表面，且在一侧形成有窗口；半浮栅，覆盖所述第一栅氧化层并完全填充所述U型槽，且在窗口处与N阱区相接触；控制栅介质层、控制栅和掩膜层，控制栅介质层覆盖所述半浮栅，控制栅和掩膜层依次形成在所述控制栅介质层上；分离栅介质层和分离栅，分离栅介质层形成在N阱区表面并延伸覆盖部分掩膜层表面，分离栅覆盖分离栅介质层并填充分离栅区域；源区和漏区，分别形成在所述控制栅和分离栅两侧，所述N阱区中。 |
