新型共漏双MOSFET结构及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN201910780080.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110400802A | 公开（公告）日 | 2019-11-01 |
| 申请公布号 | CN110400802A | 申请公布日 | 2019-11-01 |
| 分类号 | H01L27/088（2006.01）I; H01L21/8234（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 潘继; 徐鹏 | 申请（专利权）人 | 无锡沃达科半导体技术有限公司 |
| 代理机构 | 无锡市汇诚永信专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 朱晓林 |
| 地址 | 214000 江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号中国传感网国际创新园E2-401 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了新型共漏双MOSFET结构及其形成方法，涉及模拟电路与数字电路的技术领域。新型共漏双MOSFET结构，通过相互靠近的FET1和FET2单元，使得电流在晶圆中都是在相邻的FET1和FET2单元之间流动，这样大大减小了电流在介质中的传输距离，从而避免了电流在介质中长距离的输送导致的导通电阻，同时使得圆晶厚度与电流的传输距离的影响变小，进而使得圆晶无需做的很薄，从而降低了工艺难度，再者在不需要较大面积的FET1和FET2同时不需要晶圆背面的厚金属，因此避免了成品的MOSFET在晶圆上受到应力影响，同时避免晶圆的翘曲。 |
