平面结构沟道金氧半场效晶体管及其加工方法
基本信息
| 申请号 | CN201910555620.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110176500A | 公开（公告）日 | 2019-08-27 |
| 申请公布号 | CN110176500A | 申请公布日 | 2019-08-27 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/10;H01L29/06 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 潘继;徐鹏 | 申请（专利权）人 | 无锡沃达科半导体技术有限公司 |
| 代理机构 | 无锡市汇诚永信专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 王闯;葛莉华 |
| 地址 | 214000 江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号中国传感网国际创新园E2-401 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种平面结构沟道金氧半场效晶体管及其加工方法。平面结构沟道金氧半场效晶体管包括基体，基体自下而上分别包括第一基板和第二基板，第一基板为P型晶圆基板，第二基板经过深N‑阱工艺处理。第二基板的上表面形成有多个相互间隔的沟道，沟道中形成有栅极，沟道的相邻两侧分别形成有源极和漏极，栅极、源极和漏极位于基体的同侧。本发明中沟道型栅极和同侧设置的栅极、源极和漏极结构可以提高导通性能，减小单元间距，从而降低集成电源芯片的单位导通电阻，提高导通性能，并将同性能条件下的晶体管面积减小一半左右，同时便于在同一基体上集成多个晶体管结构。 |
